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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
44
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
21
读取速度,GB/s
13.2
17.7
写入速度,GB/s
9.1
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3042
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
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