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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
46
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
46
读取速度,GB/s
12.0
12.2
写入速度,GB/s
7.8
7.9
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2072
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
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