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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
14.3
14.3
写入速度,GB/s
9.1
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
2699
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
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