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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
14.3
19.8
写入速度,GB/s
9.1
15.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
3635
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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