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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
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需要考虑的原因
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
14.3
17.3
写入速度,GB/s
9.1
16.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
3637
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB RAM的比较
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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