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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
14.3
17.2
写入速度,GB/s
9.1
12.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
3256
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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