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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
52
左右 -30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.0
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
40
读取速度,GB/s
4,226.4
15.0
写入速度,GB/s
1,479.2
16.0
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3119
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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