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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
52
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
26
读取速度,GB/s
4,226.4
14.8
写入速度,GB/s
1,479.2
11.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3073
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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