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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
11.8
19.2
写入速度,GB/s
8.0
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3341
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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