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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
4,226.4
18.6
写入速度,GB/s
1,479.2
16.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3938
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
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Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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