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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
52
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
37
读取速度,GB/s
4,226.4
14.7
写入速度,GB/s
1,479.2
11.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2698
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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