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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
4,226.4
15.5
写入速度,GB/s
1,479.2
9.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2060
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
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