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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
6,336.8
15.8
写入速度,GB/s
2,935.8
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2991
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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