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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
6,336.8
14.1
写入速度,GB/s
2,935.8
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3023
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
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