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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Kingston KMKYF9-HYA 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
6,336.8
16.9
写入速度,GB/s
2,935.8
12.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2899
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
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