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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
52
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
6
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.7
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
52
读取速度,GB/s
6,336.8
10.5
写入速度,GB/s
2,935.8
7.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2236
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
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