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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
81
左右 44% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
8.5
6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.6
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
81
读取速度,GB/s
6,336.8
8.5
写入速度,GB/s
2,935.8
5.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
1651
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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