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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
48
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
6
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
48
读取速度,GB/s
6,336.8
11.5
写入速度,GB/s
2,935.8
8.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2453
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
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