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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
26
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
19
读取速度,GB/s
13.2
21.0
写入速度,GB/s
8.4
18.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3993
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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