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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
48
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
48
读取速度,GB/s
10.4
10.4
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
1858
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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