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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
13.2
16.9
写入速度,GB/s
8.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3462
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
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