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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9932291-002.A00G 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
17.6
15.5
写入速度,GB/s
12.0
8.8
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2252
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
PNY Electronics 8GBH2X04F1AA28-15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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