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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
13.2
14.6
写入速度,GB/s
8.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2915
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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