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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.2
14.0
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2920
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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