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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.8
20.4
写入速度,GB/s
8.7
17.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
4214
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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