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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
17.8
写入速度,GB/s
870.4
15.7
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3699
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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