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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
36
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
21
读取速度,GB/s
14.8
18.6
写入速度,GB/s
8.7
14.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3062
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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