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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
14.8
18.7
写入速度,GB/s
8.7
16.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3937
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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