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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
14.8
15.0
写入速度,GB/s
8.7
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3005
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
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