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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
14.8
11.8
写入速度,GB/s
8.7
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2585
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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