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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
37
读取速度,GB/s
14.8
14.6
写入速度,GB/s
8.7
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2780
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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