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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
14.8
14.6
写入速度,GB/s
8.7
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2073
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
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