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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
14.8
14.6
写入速度,GB/s
8.7
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2073
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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