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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
14.8
15.3
写入速度,GB/s
8.7
10.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2541
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
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