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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.4
17.5
写入速度,GB/s
7.5
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
3324
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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