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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.4
15.0
写入速度,GB/s
7.5
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2516
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
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