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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.4
15.3
写入速度,GB/s
7.5
12.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2815
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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