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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
77
读取速度,GB/s
12.4
13.6
写入速度,GB/s
7.5
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
1549
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
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