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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.4
14.2
写入速度,GB/s
7.5
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2470
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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