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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
13.6
写入速度,GB/s
8.4
9.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2625
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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