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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 -15% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
27
读取速度,GB/s
17.4
14.4
写入速度,GB/s
10.9
9.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2575
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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