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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
17.4
18.5
写入速度,GB/s
10.9
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3444
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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