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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
17.4
18.1
写入速度,GB/s
10.9
13.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3534
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
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