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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
13.8
14.8
写入速度,GB/s
8.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3017
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
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