PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 39
    周辺 31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2274 left arrow 3017
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較