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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
33
读取速度,GB/s
17.4
15.7
写入速度,GB/s
10.9
12.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3062
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
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