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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
23
读取速度,GB/s
17.4
17.8
写入速度,GB/s
10.9
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3091
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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