RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
37
读取速度,GB/s
17.4
14.1
写入速度,GB/s
10.9
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2486
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link