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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
40
读取速度,GB/s
17.4
13.4
写入速度,GB/s
10.9
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2495
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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