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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
76
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
76
读取速度,GB/s
17.4
10.3
写入速度,GB/s
10.9
6.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1260
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
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