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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston 9965596-035.B00G 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
7.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
38
读取速度,GB/s
13.4
7.6
写入速度,GB/s
8.0
7.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1827
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9965596-035.B00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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